0.18umFeRAM混載システムLSI(新型不揮発性メモリー)
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概要
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0.18umCMOSシステムLSIに混載可能な強誘電体メモリ技術を開発した。キーとなるテクノロジは、強誘電体キャパシタを水素バリア膜で完全に被覆し、水素による強誘電体分極特性の劣化を防止する"水素バリア完全被覆技術"及び、スタック構造でキャパシタの下に配置されるタングステンプラグが、強誘電体膜の結晶化熱処理時の酸素により酸化するのを抑制する"積層酸素バリア技術"である。これらの技術により、1.1Vの低電圧で動作し、10の12乗回のエンデュランス耐性、125℃1000時間以上のリテンション特性、といった優れた信頼性を有するセル面積1.1um2のCOB型構造FeRAMが実現できた。
- 2004-03-10
著者
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平野 博茂
パナソニック株式会社セミコンダクター社プロセス開発センター
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平野 博茂
松下電器産業株式会社
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平野 博茂
松下電子工業(株) 京都研究所
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三河 巧
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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夏目 進也
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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長野 能久
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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伊東 豊二
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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久都内 知恵
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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立成 利貴
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
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五寶 靖
松下電器産業株式会社半導体社システムLSI開発本部
-
十代 勇治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電器産業株式会社 半導体社 プロセス開発センター
-
藤井 英治
松下電子工業(株)電子総合研究所
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五寶 靖
松下電器産業株式会社 半導体社 システムlsi開発本部
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野間 淳史
松下電器産業株式会社
-
藤井 英治
松下電器産業 システムlsi開発本部
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