新エッジ構造によるBSTキャパシタの特性改善
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概要
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Ba_0.7Sr_0.3TiO_3(BST)キャパシタの信頼性に及ぼすキャパシタエッジの影響をDLTS解析とTDDB測定により検討した。上部電極のエッジがBST膜のエッジと一致した従来構造キャパシタのDLTS解析では0.75eVの粒界トラップ準位が確認されたが、これはBST膜のエッジに局在する結晶欠陥に起因するものである。上部電極をBST膜の内側に形成した上部電極オフセット構造キャパシタではDLTSピークが消失し、上部電極オフセット構造によりBST膜エッジ部の欠陥の影響を排除できることがわかった。TDDB測定により上部電極オフセット構造キャパシタは10V, 125℃ストレスで従来構造の30倍の寿命を有することがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-14
著者
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
野間 淳史
松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター
-
野間 淳史
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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