「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
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概要
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熱伝導特性に優れる半絶縁性SiC基板上に成長したAlGaN/GaNヘテロ接合構造エピ基板を用いて、0.3μmゲートFETを作製した。試作したFETは、最大ドレイン電流(Imax) 740mA/mm、最大相互コンダクタンス(gmmax) 150mS/mm、耐圧(BVgd) 50V以上の特性を示した。また、周波数分散も観測されなかった。ゲート幅100μmのFETでf_T=22.2GHz、fmax=85.3GHzの特性を得、また1.9GHzでのパワー特性評価で100mW (1W/mm)以上の出力を得た。これらの結果より、SiC基板上に成長したAlGaN/GaN HFETが、マイクロ波・ミリ波帯のパワーデバイスに極めて有望であるといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-20
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
池田 義人
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器
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