自己整合プロセスを用いた単一電源動作パワーHFET
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概要
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移動体通信端末の更なる小型化・低コスト化の為に、パワーデバイスのゲートバイアスの正電源化が求められている。このパワーデバイスを実現するためには、高電流密度、高gm、寄生抵抗の低減、高Vf等の特性が要求される。今回、Wsiノンアロイオーミック自己整合プロセスを用いた低電圧・単一電源動作OMEGA(Ohmic Metal self-aligned Gate)パワーHFETを試作評価したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
森本 滋
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
-
太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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