オンチップ高誘電体キャパシタを用いた移動体通信用超小型フロントエンドHIC
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概要
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移動体通信携帯機における無線部の小型化が重要な課題である。我々はこれまでGaAsフロントエンドICを薄膜セラミック基板にフリップチップ実装したハイブリットICを開発してきた。今回、新たに高誘電体を使用したMIMキャパシタをICチップ内に内蔵し、セラミック基板上にはスパイラルインダクタのみを形成した超小型フロントエンドHICを試作し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
伊藤 順治
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
吉田 隆幸
松下電器 半導体研究センター
-
中塚 忠良
松下電子工業
-
吉田 隆幸
松下電子工業株式会社
-
吉田 隆幸
松下電器産業(株)
-
伊藤 順治
松下電器産業(株)半導体社 アナログLSI事業部
-
吉田 隆幸
松下電器産業(株)半導体研究センター
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
吉田 隆幸
松下電器産業
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