SiGe-BiCMOSワイドダイナミックレンジ利得切替LNA
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概要
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0.25um-SiGe BiCMOSプロセスを用い、ダイナミックレンジが広く、電流効率が高い利得切替LNAを開発した。このLNAはスルースイッチに低損失化したMOSFETを用い、また雑音特性の良いHBTを用いることによって、高利得時に、利得が15.3dB、NFが1.4dBであり、低利得時にスルースイッチによって信号をスルーさせることで、消費電流が10uA以下、挿入損失が1.5dB、IIP3が+16.1dBmとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社ネットワーク開発センター
-
渡邉 大祐
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
今西 郁夫
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
伊藤 順治
松下電器産業(株)半導体社 アナログLSI事業部
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社デバイス工法開発研究所
-
中谷 俊文
松下電器産業株式会社 ネットワーク開発センター
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