低雑音・低消費電力DBS用ダウンコンバータMMIC
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概要
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ここでは0.2μm GaAs MODFETを用いた高性能DBS用ダウンコンバータMMICについて報告する。ダウンコンバータMMICはGaAs基板上にミキサー、IFアンプ及びLO抑圧フィルタを有する。低雑音特性を実現するため、ミキサにはソースインダクタ装荷型回路を用い、4.8dBの良好な雑音指数が得られている。又、消費電力を低減するため、ミキサに対し低LO電力設計を行い、その結果、175mW(動作電圧 : 5V、消費電流 : 35mA)の低消費電力ダウンコンバータMMICが実現された。さらに、IF出力でのLOリークを抑制するため、スパイラルインダクタフィルタが内蔵された。チップ面積を低減するため、ミキサーのXバンド入力整合に対してはパッケージ内部でワイヤ整合が行われ、又、バイパスキャパシタとしてはSTOキャパシタが内蔵された。その結果、0.84×0.9mm^2のチップ面積を有する小型MMICが実現された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-10
著者
-
福田 健志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
-
尹 榮
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
尹 榮
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
-
福田 健志
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
-
国久 武人
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
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