高効率単一電源GaAsパワーMMIC
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概要
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高いΦbとgmを持ち単一電源動作が可能なヘテロ接合FETを開発した。また、このFETを用いて3段アンプ構成の単一電源PACS用パワーMMICを試作し、電源電圧3.5V、周波数1.88GHz、出力電力245dBmの条件て、利得34.1dB、隣接チャンネル漏洩電力 -60.8dBc(-600kHz離調)、消費電流389mA、電力付加効率20.1%の優れた特性を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-06-21
著者
-
石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
-
山本 真司
松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
西嶋 将明
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
山本 真司
松下電子工業株式会社半導体社
-
西嶋 将明
松下電子工業株式会社半導体社
-
國久 武人
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
山本 真司
工学院大
-
石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
國久 武人
松下電子工業
-
横山 隆弘
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
西嶋 将明
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
横山 隆弘
松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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