熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系ヘテロ構造FET
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概要
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ゲート絶縁膜に熱酸化膜を用いたMOS型AlGaN/GaN系へテロ構造FETを初めて作製しその動作を確認した。熱酸化により、ドレイン電流は低下する傾向にあったが400mA/mmのドレイン電流が得られ、ゲート・ドレイン間の耐圧は130V以上を示した。デバイスの静特性は50V以上のドレイン電圧でも安定であり、熱酸化によるデバイス特性への悪影響は観察されなかった。さらにドープトチャンネル構造のAlGaN/GaNへテロ構造を用いてMOS HFETを作製したところ最大ドレイン電流値としてゲート電圧4Vにおいて900mA/mmが得られ、エピ構造の工夫により高電流特性も可能であることを示した。またゲートリーク電流は熱酸化膜が厚いほど顕著に減少しMOS構造によるゲートリーク電流低減効果が明らかとなった。以上の結果から熱酸化膜はゲート酸化膜だけでなくパッシベーション膜としても適用できるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
西井 勝則
松下電器
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
-
松野 年伸
松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電器
-
池田 義人
松下電器産業
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