WSiサイドウォールゲートを用いた新しいサブクォータミクロンGaAs MESFETプロセス
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概要
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我々は、WSiサイドウオールをゲートに用いた新しいサプクォータミクロンゲートGaAs MESFET (SIG-FET: WSi sidewall gate CaAs MESFET)プロセスを開発している。このプロセスでは、SiNパターンの側壁に形成したWSiサイドウォールをゲートに用いるため、ゲート長はスパッタ法により堆積したWSi膜の膜厚によって制御でき、フォトリソグラフィを用いずにサプクォータミクロンゲートを形成することができる。試作した0.15μmSIG-FETは、ft=50GHz、fmax=120GHzの良好な高周波特性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
-
藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
-
宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
-
西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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