藤本 和久 | パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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概要
関連著者
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藤本 和久
松下電子工業(株)電子総合研究所
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藤本 和久
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電子工業
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太田 順道
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
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井上 薫
松下電子工業(株)電子総合研究所
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井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
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井上 薫
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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太田 順道
松下電子工業 半導体デバイス研セ
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石川 修
松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部
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石川 修
松下電器(株) アナログlsi事業部
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山本 真司
松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部
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藤本 裕雅
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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太田 順道
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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藤本 和久
松下電器産業(株)半導体研究センター
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山本 真司
工学院大
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藤本 裕雅
松下電器産業(株)半導体研究センター
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工藤 義春
松下通信工業(株)
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高田 正人
(株)松下通信金沢研究所
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工藤 義春
松下通信工業株式会社大阪開発センター
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坂倉 真
松下電器産業(株)
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上田 大助
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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田村 彰良
松下電子工業(株)電子総合研究所
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部
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内海 邦昭
松下電器産業株式会社 ネットワーク開発本部
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石川 修
松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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浅野 弘明
松下通信工業(株)
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東郷 仁麿
松下通信工業(株)
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内海 邦昭
松下通信工業(株)
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宇田 智哉
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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西井 勝則
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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坂倉 真
材料デバイス研究所
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坂倉 真
松下電器産業(株)材料デバイス研究所
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國久 武人
松下電器産業株式会社半導体研究センター
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東郷 仁麿
パナソニックモバイルコミュニケーションズ(株)
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浅野 弘明
パナソニックモバイルコミュニケーションズ(株)
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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高田 正人
(株)パナソニックモバイル金沢研究所
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東郷 仁磨
パナソニツクモバイルコミュニケーションズ(株)技術本部r&dセンター
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内海 邦昭
松下電器産業株式会社
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宇田 智哉
松下電子工業(株) 電子総合研究所
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西井 勝則
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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國久 武人
松下電子工業
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内海 邦昭
松下通信工業
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大川 晋司
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
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石井 康二
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社R&Dセンター
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坂倉 真
松下電器産業 デバイス・エンジニアリング開セ
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石井 康二
パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター
著作論文
- FM一括変換光伝送システム用広帯域・低群遅延偏差プリアンプの開発
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- WSiサイドウォールゲートを用いた新しいサブクォータミクロンGaAs MESFETプロセス
- GaAs SP8TスイッチICの検討
- 3段SPSTを用いた高アイソレーション型RFスイッチMMIC
- PHS用送受信一体型GaAs MMICの検討
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- C-2-7 ドハティ増幅器におけるピーク増幅器の最適化検討(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)