川島 克彦 | 松下電子工業(株)電子総合研究所
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概要
関連著者
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川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
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川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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松下電子工業(株)電子総合研究所
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松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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松下電子工業(株)電子総合研究所
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松下電子工業(株) 電子総合研究所
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松下電子工業(株)電子総合研究所
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松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
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松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石川 修
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高田 正人
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田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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工藤 義春
松下通信工業株式会社大阪開発センター
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吉田 隆幸
松下電子工業株式会社
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山崎 正純
松下通信工業(株)技術本部
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藤本 裕雅
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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田中 毅
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
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按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石川 修
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
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田中 毅
松下電子工業 電子総研
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吉田 隆幸
松下電子工業(株)生産技術センター
著作論文
- STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- STOキャパシタを内蔵した0.5〜5.3GHz広帯域アンプMMICの試作
- 低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
- 低歪みInGaAs HFETを用いた広帯域アンプの開発
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- フリップチップ実装を用いたK帯電力増幅器の試作
- Undoped GaAs キャップ層を用いた高耐圧イオン注入 GaAs MESFET