低誘電率膜を用いた0.15μmT型ゲートMODFET
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-07
著者
-
田中 毅
松下電子工業株式会社電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電子工業
-
小久保 豊
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
川島 克彦
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
西辻 充
松下電器産業半導体研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
川島 克彦
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株) 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電子工業 電子総研
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