耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
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概要
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- 2011-03-01
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
梅田 英和
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
鈴木 朝実良
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
按田 義治
パナソニック株式会社
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