上田 大助 | パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
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関連著者

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  松下電子工業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センタ 化合物半導体研究部

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電子工業 電子総研

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 古川 秀利

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 古川 秀利

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体社 ディスクリート事業部

• 宮辻 和郎

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社

• 上田 大助

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 西辻 充

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 西辻 充

  松下電子工業

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西辻 充

  松下電器産業半導体研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  パナソニック ボストン研究所

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 西井 勝則

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• 西井 勝則

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• 松野 年伸

  松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 横山 隆弘

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック株式会社

• 大塚 信之

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 石川 修

  松下電器産業(株)半導体社 アナログlsi事業部

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石川 修

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電子工業(株) 電子総合研究所

• 按田 義治

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 谷川 達也

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 正戸 宏幸

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 河井 康史

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 山田 康博

  パナソニック株式会社

• 福田 健志

  パナソニック 先端技研

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石堂 輝樹

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 片山 琢磨

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 山本 真司

  松下電器産業 半導体社 事業本部ディスクリート事業部

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 福井 武司

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 前田 昌宏

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 竹中 浩

  松下電子工業(株)電子総合研

• 福井 武司

  松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

• 柳原 学

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 森本 滋

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 神田 敦彦

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社

• 山本 真司

  松下電子工業株式会社半導体社

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社半導体社

• 國久 武人

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石堂 輝樹

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 大塚 信之

  松下電器半導体センター

• 大西 俊一

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 油利 正昭

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 谷川 達也

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 山本 真司

  工学院大

• 國久 武人

  松下電子工業

• Otsuka Nobuyuki

  Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 正戸 宏幸

  松下電器

• 神田 敦彦

  松下電器産業

• 油利 正昭

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 一志

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 小泉 治彦

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 太田 順道

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 清水 順

  パナソニック株式会社

• 太田 順道

  松下電子工業(株) 半導体デバイス研究センター

• 鈴木 朝実良

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 太田 順道

  松下電子工業 半導体デバイス研セ

• 中澤 一志

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 石川 修

  松下電器(株) アナログlsi事業部

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田村 彰良

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株)半導体社 半導体デバイス研究所センター

• 牧岡 敏史

  松下電子工業(株) 電子総合研究所

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 河井 康文

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 井腰 文智

  パナソニック株式会社

• 宇田 智哉

  松下電子工業株式会社 電子総合研究所

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 立岡 一樹

  松下電子工業電子総合研究所

• 福田 健志

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 宇田 智哉

  松下電子工業(株) 電子総合研究所

• Otsuka Nobuyuki

  Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Otsuka Nobuyuki

  Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center

• 立岡 一樹

  松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部

• 丹波 泰之

  松下電子工業株式会社電子総合研究所

• 藤本 和久

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• Li Ming.

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 福田 健志

  松下電子工業(株)電子総合研究所半導体第二研究部

• 工藤 義春

  松下通信工業(株)

• 高田 正人

  (株)松下通信金沢研究所

• 川島 克彦

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 水谷 研治

  松下電器産業(株) BIU

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 片山 琢磨

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 杉村 昭久

  松下電子工業電子総合研究所

• 大西 俊一

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 工藤 義春

  松下通信工業株式会社大阪開発センター

• 川島 克彦

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 藤本 和久

  パナソニックモバイルコミュニケーションズ株式会社r&dセンター

• 清水 順

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 野間 敦史

  松下電子工業(株) 電子総合研究所 第二研究部

• 按田 義治

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)中央研究所

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 水谷 研治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 工藤 祐治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

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著作論文

• GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 大振幅動作におけるGaAsFETの周波数分散と変調波ひずみ特性
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• Surface-Via-Hole (SVH)技術によるGaAsパワーFET
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
• 位相シフト露光法によるMODFETを用いた低電流低歪帰還型広帯域アンプ
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
• CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• W-CDMA基地局用200W MODFETパワーデバイス
• W-CDMA基地局用200W MODFET
• ゲート方向によるGaAsパワーFETの温特補償
• ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
• 位相シフト露光法による0.2μmゲートMODFETを用いた低電流広帯域アンプ
• 補助グランド突起をもつリードフレームによるアイソレーション改善効果
• AlGaAs/GaAs HBT の電流利得のエミッタ方向依存性
• ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
• STOキャパシタ内蔵0.4〜7GHzトランスインピーダンスアンプIC
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
• ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
• ETC用単一電源パワーMMICの開発
• C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
• Cr拡散によるGaAsパワーFETの低歪み化
• W-CDMA基地局用200W MODFET
• W-CDMA基地局用200W MODFET
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面プラズモン面発光レーザー
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 0.2μmゲートMODFETによるフリップチップ実装GaAsスイッチIC
• ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
• ETC用5.8GHz帯単一電源パワーMMIC
• C-10-7 SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
• C-10-5 低温成膜STO容量素子の熱処理特性
• ノーマリオフ型セルフアライメント構造PJ-HFET
• SiCl_4/SF_6/N_2ガスを用いた2ステップGaAs/AlGaAs選択ドライエッチング
• SC-5-7 SiC基板上AlGaN/GaN HFETの高周波特性
• 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
• 金属ナノホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー
• 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• CS-4-5 表面プラズモンミラーを集積化した面発光レーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
• C-4-13 微小金属ホールアレイを集積化した850nm帯表面プラズモンVCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• 縦積型回路方式を用いた低消費電力GaAsフロントエンドIC
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• 「招待論文」高周波ワイドギャップ半導体デバイス
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• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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• スパイクゲート構造による高効率低歪みGaAsパワーFET
• 1.5V動作高効率GaAsスパイクゲートパワーFET
• ゲート方位によるGaAs FETの温特制御
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• B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
• C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路
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