P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
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概要
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我々は、低リーク電流を有し600V動作可能で、かつ、大電流化が実現可能なGaNダイオードを開発した。本開発ダイオードはAlGaN/GaNマルチジャンクションとアノード部にP型障壁制御層を有しアノード及びカソードはチャネルの側壁に形成する。P型障壁制御層からの空乏層によってアノード側壁のポテンシャルを制御しリーク電流の起源であるトンネル電流を低減することができる。作製したP型障壁制御層を有するGaNダイオードは順方向電圧1.5V時に18Aを示し、耐圧は600Vを得た。本開発GaNダイオードとノーマリオフ動作可能なGaNトランジスタであるGaN GIT(Gate Injection Transistor)を用いたPFC評価では95.4%と高い変換効率を達成し、従来のSiファストリカバリーダイオードを用いた場合よりも優れた特性を得た。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-01-04
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
柴田 大輔
パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
海原 一裕
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 大助
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器(株)半導体デバイス研究センター
-
森田 竜夫
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
按田 義治
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
山田 康博
パナソニック株式会社
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
村田 智洋
パナソニック株式会社
-
按田 義治
パナソニック株式会社
-
海原 一裕
パナソニック株式会社
-
森田 竜夫
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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