上田 大助 | パナソニック株式会社

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概要

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• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  パナソニック株式会社

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  パナソニック株式会社

• 石田 秀俊

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 柳原 学

  パナソニック株式会社

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 永井 秀一

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック(株)セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 上野 弘明

  松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  パナソニック株式会社

• 酒井 啓之

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  パナソニック ボストン研究所

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社 先端技術研究所

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社

• 按田 義治

  パナソニック株式会社

• 酒井 啓之

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 谷川 達也

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社

• 石堂 輝樹

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 片山 琢磨

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 柳原 学

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 柴田 大輔

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  パナソニック ボストン研究所

• 神田 敦彦

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社

• 石堂 輝樹

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 大塚 信之

  松下電器半導体センター

• 大西 俊一

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 谷川 達也

  松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター

• 松野 年伸

  松下電器産業株式会社 半導体社半導体デバイス研究センター

• Otsuka Nobuyuki

  Advanced Technology Research Laboratories Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 大塚 信之

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 神田 敦彦

  松下電器産業

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業

• 中澤 一志

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 永井 秀一

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 清水 順

  パナソニック株式会社

• 鈴木 朝実良

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 中澤 一志

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 山田 康博

  パナソニック株式会社

• 海原 一裕

  パナソニック株式会社

• 福田 健志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 河井 康文

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• LI Ming

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 永井 秀一

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 井腰 文智

  パナソニック株式会社

• Li Ming

  Panasonic Boston Laboratory Panasonic Technologies Company

• 福田 健志

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 宇治田 信二

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• Otsuka Nobuyuki

  Semiconductor Research Center Matsushita Electric Industrial Co. Ltd.

• Otsuka Nobuyuki

  Telecommunications Advancement Organization Of Japan Sendai Research Center

• 河井 康史

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 福田 健志

  パナソニック 先端技研

• 根来 昇

  パナソニック株式会社半導体デバイス開発センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社

• 黒田 正行

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• Li Ming.

  Panasonic Boston Laboratory, Panasonic Technologies Company

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 水谷 研治

  松下電器産業(株) BIU

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)先端技術研究所

• 片山 琢磨

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 大西 俊一

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 清水 順

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 水谷 研治

  松下電器産業(株)中央研究所

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社 セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 上野 弘明

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 水谷 研治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 工藤 祐治

  パナソニック株式会社先端技術研究所

• 黒田 正行

  パナソニック株式会社セミコンダクター社ディスクリート事業本部ディスクリート開発センター

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著作論文

• GaNナチュラルスーパージャンクション ダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNナチュラルスーパージャンクションダイオード(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• サファイア基板へのビアホールを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET
• CS-9-6 サファイア基板へのビアを用いた10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(CS-9. ワイドギャップ半導体電子デバイスの現状と今後の展開,シンポジウムセッション)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• C-10-15 伝導度変調を利用したノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(C-10.電子デバイス,一般講演)
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC
• AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN HFET を用いた高出力SPDTスイッチIC(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• ノーマリオフ型GITを集積化したワンチップGaNインバータIC
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器
• C-10-1 EBSD法によるSi上AlGaN/GaNヘテロ構造の歪み分布解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• GaNナチュラル スーパージャンクション ダイオード
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• EBSD法によるAlGaN/GaNヘテロ構造の深さ方向歪み解析(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器(ミリ波技術/一般)
• AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 表面プラズモン面発光レーザー
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• ソースビア接地構造を用いたSi基板上350V/150A AlGaN/GaNパワーHFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 10400V耐圧AlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))
• ホール注入型低オン抵抗ノーマリオフAlGaN/GaNトランジスタ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 2.5Gcpsスペクトル拡散変調を用いた26GHz帯自動車用短距離UWBレーダ(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 金属ナノホールアレイを用いた表面プラズモン面発光レーザー
• 表面プラズモン共鳴を用いた偏波制御VCSELアレイ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• CS-4-5 表面プラズモンミラーを集積化した面発光レーザ(CS-4.光インターコネクション技術の最新動向,シンポジウム)
• C-4-13 微小金属ホールアレイを集積化した850nm帯表面プラズモンVCSEL(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
• B-9-6 フレーム直接接続型両面放熱面実装インバータパッケージ(B-9.電子通信エネルギー技術,一般セッション)
• 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• GaNパワーデバイスにおける分極エンジニアリング
• C-10-5 統合設計プラットフォームにおけるGaNデバイスの動的挙動モデル(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• P型障壁制御層を有する低リーク電流GaNマルチジャンクションダイオード
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• マイクロ波駆動技術を用いた絶縁型ゲート駆動回路(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)

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