鈴木 朝実良 | パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

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関連著者

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器(株)半導体デバイス研究センター

• 梅田 英和

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 鈴木 朝実良

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 按田 義治

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

• 石田 昌宏

  パナソニック株式会社

• 按田 義治

  パナソニック株式会社

• 上田 大助

  パナソニック株式会社本社R&D部門先端技術研究所

• 按田 義治

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

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著作論文

• 耐圧ブースト技術によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• 耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

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