井上 薫 | 松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

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• 井上 薫

  パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所

• 井上 薫

  松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 井上 薫

  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 村田 智洋

  松下電器産業(株)

• 村田 智洋

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

• 上本 康裕

  パナソニック株式会社

• 廣瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 広瀬 裕

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 廣瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 上田 大助

  パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所

• 上田 大助

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

• 池田 義人

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 上田 大助

  パナソニック株式会社

• 池田 義人

  松下電器産業

• 石田 秀俊

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  パナソニック株式会社

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  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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• 引田 正洋

  松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター

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• 正戸 宏幸

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 正戸 宏幸

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• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

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  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

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• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

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• 神田 敦彦

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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• 神保 孝志

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  松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター

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• 神保 孝志

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• 神田 敦彦

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  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

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• 西嶋 将明

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 根来 昇

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

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• 酒井 啓之

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• 根来 昇

  松下電器産業株式会社 半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター

• 西嶋 将明

  松下電子工業株式会社 半導体デバイス研究センター

• 西井 勝則

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• 西嶋 将明

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• 石井 基範

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• 神保 孝志

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• 広瀬 裕

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

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• 西嶋 将明

  パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ

• 石堂 輝樹

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• 片山 琢磨

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 松尾 尚慶

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 黒田 正行

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• 黒田 正行

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• 井上 薫

  松下電子工業(株)電子総合研究所

• 石堂 輝樹

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著作論文

• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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• パワースイッチングシステム応用に向けてのAlGaN/GaNデバイス
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• 超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
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