AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
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概要
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AlGaN/GaN HFETにおいては高電圧印加時にドレイン電流が減少する、いわゆる電流コラプス現象が大きな問題であり、SiN(窒化シリコン)パッシベーションにより抑制されることが知られている。しかしSiNは熱伝導率が低いため、デバイスの放熱を考える上では問題がある。今回、SiNの約200倍の熱伝導率を有すると期待される多結晶AlN(窒化アルミニウム)を表面パッシベーション膜として用いたAlGaN/GaN HFETを試作し、電流コラプス抑制と共に、ドレイン電流の増加、オン抵抗低減といったデバイス特性の改善を確認したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-11-17
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
上野 弘明
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
上本 康裕
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
松下電器産業(株)
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
村田 智洋
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
石田 秀俊
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
石田 秀俊
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上本 康裕
パナソニック株式会社
-
上野 弘明
松下電器産業株式会社 半導体デバイス研究センター
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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