無極性(11-20)面上に形成したノーマリオフ動作AlGaN/GaN MIS型ヘテロ接合トランジスタ(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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GaN系化合物半導体は大きな絶縁破壊電界と飽和電子速度を有するため、低損失パワースイッチングデバイスへの応用として有望である。従来のc面((0001)面)に形成されたAlGaN/GaNヘテロ接合電界効果トランジスタ(Heterojunction Field Effect Transistor:HFET)では、自発分極及びピエゾ分極による内部電界のためヘテロ接合に高密度のシートキャリアが生じ、パワースイッチングデバイスに必要とされるノーマリオフ型の作製が困難であった。無極性面であるa面((11-20)面)を成長面としてAlGaN/GaN HFETを作製すれば、分極電荷がヘテロ界面に生じないためノーマリオフ型が容易に実現可能である。今回我々はr面サファイア上に厚膜AlNバッファ層を形成してa面GaNの結晶性を向上させ、リセス構造を有するMIS型トランジスタとすることでV_<th>=+1.3Vの完全ノーマリオフ動作と112mA/mmと大きなドレイン電流を実現したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
-
上田 哲三
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
黒田 正行
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
パナソニック株式会社
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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