セルフアラインプロセスにより作製したGaN系縦型トランジスタ

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概要

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• 2006-11-28

著者

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 田中 毅

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 中澤 敏志

  松下電器産業(株)半導体社

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社

• 田中 毅

  パナソニック株式会社

• 上田 哲三

  パナソニック株式会社

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株)半導体社

• 森田 竜夫

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 上田 哲三

  松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター

• 森田 竜夫

  パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター

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