格子整合系六方晶InAlGaN四元混晶の禁制帯幅とボウイング定数(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
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概要
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格子整合した六方晶InAlGaN四元混晶における禁制帯幅のボウイング定数について実験および理論計算によって明らかにした.まず, 有機金属気相成長法により様々な組成のInAlGaN四元混晶を成長した.そしてX線回折法および電子線マイクロアナライザ評価等によりGaNに格子整合する試料を抽出した.また, これらのGaNに格子整合するInAlGaNについて低温フォトルミネッセンス測定を行い、禁制帯幅を求めた.次に従来よりもサイズの大きな192原子スーパーセルを用いた第一原理計算によってInAlGaN四元混晶の禁制帯幅を計算した.計算結果からボウイング定数は原子配置にあまり依存せず2.2eVから2.5eVと求められ, 先の実験結果を裏付ける結果となった.
- 2006-01-12
著者
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
田中 毅
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
瀧澤 俊幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
中澤 敏志
松下電器産業(株)半導体社
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
瀧澤 俊幸
松下電器産業(株)半導体デバイス研究センター
-
上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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