CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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半導体に対して水素が様々な影響を及ぼすことは、以前から知られている。例えば、アモルファスシリコンのダングリングボンドの終端、Si/SiO_2における界面順位の低減、半導体中のドナー、アクセプタ電気的不活性化、Si結晶表面の平坦化などが挙げられる。GaNAs結晶においてもH_2高温クラッキングによって生成された原子状H(H^*)を成長中に供給することで三次元成長抑制に効果を持つことが報告されている。今実験では高温クラッキング(1000℃)によるH^*ではなくRFプラズマセルにより生成されたH^*をCBE法によって作製したGaNAs結晶に供給しその結晶性について評価を行った。また同様にして作製したGaInNAs/GaAs量子井戸について、非発光中心を低減させる為にRTA(Rapid Thermal Annealing)処理を行いその効果についても調査を行った。
- 2005-05-20
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
三戸 一矢
名古屋工業大学
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
山森 雅之
名古屋工業大学
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