PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(<小特集テーマ>進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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概要
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ゲート電極として低濃度(重量比で3%)のSiを添加したPdを用いたAlGaN/GaNヘテロ接合高電子移動度トランジスタ(HEMT)の特性について報告する。本材料の選定は、(1)Pd/GaNショットキー接合が他の金属に比して数桁以上低いリーク特性を示す、(2)SiがPd電極膜の密着性を高める効果がある、という2つの実験結果に基づいた。試作したHEMTは予想通りドレイン耐圧の目安となる逆バイアスリーク電流がV_gd=-20Vで20nA/mm以下と極めて低い値を示した。一方、DCのON特性もゲート電圧4V印加時で最大ドレイン電流900mA/mm、最大相互コンダクタンス約200mS/mm、ニー電圧約5Vと良好であった。
- 2002-06-07
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
井上 薫
パナソニック株式会社本社r&d部門先端技術研究所
-
井上 薫
松下電器産業株式会社 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
池田 義人
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
正戸 宏幸
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
正戸 宏幸
松下電器産業株式会社半導体研究センター
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
廣瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
広瀬 裕
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学
-
井上 薫
松下電器産業(株)半導体社事業本部半導体デバイス研究センター
-
神保 孝志
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
正戸 宏幸
松下電器
-
池田 義人
松下電器産業
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