MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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有機金属気相成長法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討を行った。テンプレートの有無に影響とテンプレートの極性による影響を調べるため、サファイア基板上に低温GaNバッファ層および高温成長AlGaN/AlN中間層を介してGa極およびN極GaNテンプレートを作製した。Ga極GaNテンプレート上にInNを成長させることにより、グレインが大きくなること、結晶面の揺らぎが減ること、電気的特性が向上することがわかった。成長温度の上昇と共に電気的特性が向上するが、グレインが大きくなって表面平坦性が悪化した。一方、N極GaNテンプレート上にInNを成長させると、グレインが二次元状になり平坦膜を得ることができた。Ga極テンプレート上InNよりキャリア密度が一桁大きいが同キャリア密度で比較すると移動度が大きいという特性を得た。
- 2005-05-20
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
日比野 聡彦
名古屋工業大学大学院
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