SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• AlGaN/GaN HEMTは次世代の高出力・高周波デバイスとして期待されている。今回、電子移動度の向上を目的としMOCVD法を用いてSiC基板上へのAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長を行った。AlN初期層の膜厚依存性を調べたところ、AlN初期層の膜厚が100nmの場合に室温での電子移動度が1568cm^2/Vsとなり、最も良好な結果を得た。さらに、AlNスペーサ層を挿入し膜厚依存性を調べたところ、AlNスペーサ層の膜厚が1nmの場合に室温で2189cm^2/Vs、77Kで20998cm^2/Vsという高い移動度が得られた。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-09-28

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 江川 孝志

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 江川 孝志

  名古屋工業大学

• 岩崎 天彦

  名古屋工業大学 極微デバイス機能システム研究センター

関連論文

• Si基板上GaN系発光ダイオードの結晶成長及び諸特性
• C-4-34 Si基板上InGaN MQW LEDの作製
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価
• 100mm 径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT エピタキシャルウェーハ(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• 100mm径サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTエピタキシャルウェーハ(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• GaNに格子整合するInAlGaN 4元混晶キャップ層を用いたAlGaN/GaNヘテロ接合トランジスタ(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 低温成長GaNキャップ層を用いたAlGaN/GaN HFETの特性改善(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 結晶軸に沿ったZnイオン注入によるGaNの高抵抗化
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• n-(Al)GaN上ショットキー電極の金属膜構成と熱処理依存性
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
• AlGaN/GaN HEMTの素子分離としてのZnイオン注入
• 100mm径エピタキシャルAlN/サファイアテンプレート上に作製したリセスオーミックAlGaN/AlN/GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 100mm径サファイア基板上に成長した高Al組成AlGaN/GaN HEMTのDC特性評価(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE法による100mm径サファイア基板上への高Al組成Al_xGa_N/GaN HEMT構造の成長とその特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの特性(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• リセスゲートAlGaN/GaN-HEMTの高周波特性(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• SC-6-5 リセスゲート構造AlGaN/GaN HEMT
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 4インチSi(111)基板上AlGaN/GaN HEMT構造の厚膜化検討(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• SiC基板上AlGaN/GaN HEMTの結晶成長に関する研究(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• リセスオーミック電極を用いたSi基板上のAlGaN/GaN-HEMT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• Si(111)基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
• C-10-19 InAlGaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HFETによるオーミックコンタクト抵抗の低減(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
• CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果
• MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討
• CBE法によるH^*を用いたGaNAs結晶成長及びGaInNAs/GaAs量子井戸のRTA効果(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• MOCVD法によるGaNテンプレート上InNの結晶成長の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 高出力AlGaN/GaN-HEMTにおける熱設計の検討(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
• 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• 中間層を用いたAlGaN/GaN HEMTエピウエハの反り低減とその特性評価(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
• サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
• MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
• サファイア基板上AlGaN/GaNの歪みと電気的特性
• MOCVD法を用いたサファイア基板上のGaN MESFETの諸特性
• 高温動作センサ用GaN系半導体の結晶成長
• GaNショットキーダイオードの特性
• GaNショットキーダイオードの特性
• C-10-6 サファイア基板上AI_xGa_Nのショットキー特性
• 鏡面化ダイシング技術によるGaN半導体レーザ共振器端面の形成
• SC-6-3 MOCVD法を用いたエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMTの特性評価
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPE法によるエピタキシャルAlN/サファイア基板上AlGaN/GaN HEMT構造の作製と特性評価(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• MOVPEによる高品質AlN/サファイア基板とGaN膜の高品質化(III族窒化物研究の最前線)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
• [Invited]超低雑音・低歪特性を有するAlGaN/GaN HFET : 窒化物半導体デバイスの受信系への応用(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
• PdSiゲートAlGaN/GaN HEMTの特性(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• RIEを用いたダメージによるGaNショットキーダイオード特性とその回復法
• C-4-25 GaN/AlGaN distributed Bragg reflectorを用いたInGaN MQW LEDの高性能化
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• Si基板上GaNの暗点密度観察
• Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
• 高相互コンダクタンスを有するSic基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 高相互コンダクタンスを有するSiC基板上のリセスゲートAlGaN/GaN-HEMT
• AlGaN/GaN HEMTの高周波特性

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク