4 inch Si基板上AlGaN/GaN HEMTにおけるAlNバッファ層の影響(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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MOCVD法により4インチSi基板上へのAlGaN/GaN HEMT構造の結晶成長を行った。AlNバッファ層の膜厚依存性を調べたところ、バッファ層の厚膜化により結晶品質が改善され、移動度はわずかに向上した。しかし、AlNバッファ層の膜厚が200nm以上の場合では、クラックの影響により移動度が低下する結果となった。さらに、GaN/AlN多層膜のペア数依存性を調べたところ、ペア数の増加に伴い結晶品質が改善され、移動度は向上した。ペア数が70の場合、室温で1524.1cm^2/Vs、77Kで10958.3cm^2/Vsという高い移動度が得られた。
- 2004-10-15
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
山本 幸太郎
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
松井 慎一
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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