Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nの諸特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Si基板上減圧MOCVD成長Al_xGa_<1-x>Nについて、諸特性のリアクタ圧力依存性を調べた。成長圧力が高くなるに従いAl固相比は小さく膜厚は薄くなり、Al気相比が大きい程顕著であった。X線回折ωスキャンによるマクロレベルでの結晶評価では結晶品質の成長圧力依存性は見られなかった。一方、二次イオン質量分析による不純物分析より、成長圧力を高くするに従い全Al固相比でC濃度が減少すること、また成長圧力を高くなるとAl固相比に対して指数関数的にC濃度が増加する傾向になることがわかった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2008-05-08

著者

• 石川 博康

  名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター

• 石川 博康

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻

• 森 直人

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻

• 広森 公一

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻

• 十倉 史行

  名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻

• 嶋中 啓太

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• 森本 智彦

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