段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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AlNテンプレート基板上にクラック無く高Al組成比のAlGaNを成長させるとともに、段差上にAlGaN成長を行うことで低転位領域が形成されることを、断面TEMおよびカソードルミネセンス(CL)により確認した。2回段差上成長を行うことで、AlGaN表面のほぼ全面にわたって、貫通転位密度を5.2×10^7cm^<-2>まで低減させることに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-09-25
著者
-
石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
-
上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
-
上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
-
江川 孝志
名古屋工業大学
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
パナソニック株式会社
-
油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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