油利 正昭 | 松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
パナソニック株式会社
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
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石川 博康
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学極微構造デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学極微デバイス機能システム研究センター
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藤本 康弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石川 博康
名古屋工業大学工学研究科機能工学専攻:名古屋工業大学工学研究科都市循環システム工学専攻
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上田 大助
パナソニック(株)本社r&d部門 先端技術研究所
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上田 大助
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
小川 雅弘
松下電器産業(株)半導体社 半導体デバイス研究センター
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江川 孝志
名古屋工業大学
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藤本 康弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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上田 哲三
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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田村 聡之
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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小川 雅弘
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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高山 徹
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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吉川 昭男
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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吉川 昭男
松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所
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吉川 昭男
松下電子工業
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橋本 忠朗
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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持田 篤範
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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清水 裕一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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寺越 喜多美
大阪大学 工学部
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杉野 隆
大阪大学 工学部
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高山 徹
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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持田 篤範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石田 昌弘
松下電子工業(株)電子総合研究所
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清水 裕一
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
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瀧川 信一
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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杉野 隆
大阪大学 大学院工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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小林 康宏
松下電器産業(株)半導体研究センター
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水内 公典
松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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山本 和久
松下電器産業(株)光ディスク開発センター
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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山本 和久
パナソニック
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山本 和久
松下電器産業(株)avコア技術開発センター
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川口 真生
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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水内 公典
パナソニック四国エレクトロニクス(株)デバイスプロダクツビジネスユニット
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水内 公典
松下電器産業(株)avコア技術開発センター
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横山 敏史
パナソニック
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森川 顕洋
松下電器産業(株)メディア制御システム開発センター
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杉田 知也
松下電器産業(株)メディア制御システム開発センター
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北岡 康夫
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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横山 敏史
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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笠澄 研一
松下電器産業(株) メディア制御システム開発センター
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瀧川 信一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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森川 顕洋
パナソニック四国エレクトロニクス(株)デバイスプロダクツビジネスユニット
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瀧川 信一
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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山本 和久
松下電器産業
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馬場 孝明
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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福久 敏哉
松下電器産業半導体研究センター
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大西 俊一
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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小林 康宏
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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佐々木 昭夫
大阪電気通信大
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西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
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福久 敏哉
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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山中 一彦
パナソニック(株)
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笠澄 研一
松下電器産業(株)
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折田 賢児
松下電器産業(株)
-
佐々木 昭夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
-
馬場 孝明
松下電子工業株式会社技術本部
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
-
春日井 秀紀
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
左文字 克哉
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
萩野 裕幸
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
山中 一彦
パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター
-
油利 正昭
パナソニック セミコンダクター社 半導体デバイス研究セ
-
瀧川 信一
パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター
著作論文
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 分布ブラッグ反射型半導体レーザーと導波路型波長変換素子を用いた高出力SHG青紫色レーザー
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- 光ヘッド用モノリシック2波長レーザー
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 光ディスク用実用屈折率導波(RISA)型AlGaAs半導体レーザー
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)