伊藤 国雄 | 松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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概要
関連著者
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伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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吉川 昭男
松下電子工業株式会社 電子総合研究所
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吉川 昭男
松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所
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吉川 昭男
松下電子工業
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杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
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石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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橋本 忠朗
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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寺越 喜多美
大阪大学 工学部
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杉野 隆
大阪大学 工学部
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上野 明
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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稲葉 雄一
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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鬼頭 雅弘
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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石野 正人
松下電子工業(株)技術本部電子総合研究所
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石田 昌弘
松下電子工業(株)電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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石野 正人
松下電子工業
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中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
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杉野 隆
大阪大学 大学院工学研究科
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小林 康宏
松下電器産業(株)半導体研究センター
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高山 徹
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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持田 篤範
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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清水 裕一
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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今藤 修
松下電器産業株式会社半導体社半導体デバイス研究センター
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石黒 永孝
松下電子工業株式会社 ディスクリート事業部
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中西 秀行
松下電子工業株式会社技術本部電子総合研究所
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高山 徹
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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馬場 孝明
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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上村 真一
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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茶藤 哲夫
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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東井 虎土
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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広瀬 正則
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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山口 正之
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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永井 秀男
松下電子工業株式会社電子総合研究所
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岩元 伸行
松下電子工業株式会社ディスクリート事業部
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福久 敏哉
松下電器産業半導体研究センター
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持田 篤範
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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大西 俊一
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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小林 康宏
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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清水 裕一
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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中山 久志
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
一色 美名子
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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福久 敏哉
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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中西 秀行
松下電子工業
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馬場 孝明
松下電子工業株式会社技術本部
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- 集積回路内蔵型高速ホログラムユニット
- 超薄形光ピックアップ用LDH(レーザ・受光素子・ホログラム)ユニット
- 光ヘッド用モノリシック2波長レーザー
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 高出力特性1.55μm帯マストランスポート回折格子型(MTG)DFBレーザ
- C-4-18 InAsP埋め込み回折格子型狭線幅DFBレーザのFM変調特性