杉野 隆 | 大阪大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
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小松 直佳
大阪大学大学院工学研究科
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堀田 沙織
大阪大学大学院工学研究科
-
山室 裕
大阪大学大学院工学研究科
-
志摩 秀和
大阪大学大学院工学研究科
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
寺山 正敏
大阪大学産業科学研究所
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折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
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松之内 恵子
大阪大学大学院工学研究科
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寺山 正敏
大阪大学大学院工学研究科
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渡邊 大祐
ダイキン工業株式会社
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今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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渡邊 大祐
大阪大学大学院工学研究科
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伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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舟川 慎吾
大阪大学大学院工学研究科
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原 誠
大阪大学大学院工学研究科
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中島 成
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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二ツ木 高志
オルガノ株式会社
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大江 太郎
オルガノ株式会社 開発センター研究開発部
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岡田 邦孝
大阪大学大学院工学研究科
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中島 成
住友電気工業
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中島 成
住友電気工業株式会社
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二ツ木 高志
東北大学電気通信研究所
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栗山 憲治
大阪大学大学院工学研究科
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二ツ木 高志
大阪大学大学院工学研究科
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宮野 一輝
大阪大学 工学研究科 電気電子情報工学専攻
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坂田 慎一郎
大阪大学大学院工学研究科
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大江 太郎
オルガノ株式会社 Scwo部
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大江 太郎
オルガノ
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大江 太郎
オルガノ株式会社
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増井 昭彦
大阪府立産技総研
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藤原 信明
大阪府立産技総研
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増住 拓朗
大阪大学大学院工学研究科
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呂 志明
大阪大学大学院工学研究科
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山本 知秀
大阪大学大学院工学研究科
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宮野 一輝
大阪大学大学院工学研究科
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矢野 大作
オルガノ株式会社
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佐野 和彦
オルガノ株式会社
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山中 弘次
オルガノ株式会社
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石田 昌宏
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
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横田 裕子
大阪大学大学院工学研究科
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和田 優
舞鶴工業高等専門学校
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杉野 隆
大阪大学 工学部
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和田 優
舞鶴工業高等専門学校電子制御工学科
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木村 千春
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
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石田 昌弘
松下電子工業(株)電子総合研究所
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大井 直樹
大阪大学大学院工学研究科
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鄭 鍾〓
大阪大学大学院工学研究科
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中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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山本 健輔
大阪大学大学院工学研究科
-
藤田 憲生
大阪大学大学院工学研究科
-
増井 昭彦
大阪府立産業技術総合研究所
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
藤原 信明
大阪府立産業技術総合研究所
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木村 千春
大阪大学 大学院工学研究科
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杉野 隆
大阪大学 大学院工学研究科
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由川 真
大阪大学大学院工学研究科
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堀川 祐一
株式会社ホリゾン
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瀧澤 克雄
株式会社ホリゾン
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杉野 隆
大阪大学工学部
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大山 和俊
大阪大学工学研究科電気電子情報工学専攻
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奥村 幸彦
舞鶴高専専攻科
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横田 裕子
大阪大学
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九鬼 知博
大阪大学大学院工学研究科
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田中 裕崇
大阪大学大学院工学研究科
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小泉 聡
独立行政法人 物質・材料研究機構
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岡本 幸一
舞鶴工業高等専門学校
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伊藤 篤史
三菱化学株式会社半導体材料研究所
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小泉 聡
物材機構
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小泉 聡
無機材質研究所
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加茂 睦和
無機材質研究所
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木村 千春
大阪大学工学部
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川崎 斉司
大阪大学工学部
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青木 秀充
大阪大学 大学院工学研究科 電気電子情報工学専攻
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川崎 斉司
大阪大学
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堀 貴充
大阪大学大学院工学研究科
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大西 将功
大阪大学大学院工学研究科
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大見 剛
大阪大学大学院工学研究科
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粂田 和弘
株式会社ニチビ
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畑 康人
株式会社ニチビ
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久保 英太郎
大阪大学大学院工学研究科
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原田 憲
三菱化学株式会社半導体材料研究所
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河瀬 康弘
三菱化学株式会社EL薬品事業部
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水谷 文一
三菱化学株式会社EL薬品事業部
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新田 智弘
大阪大学工学研究科電気電子情報工学専攻
-
青木 秀充
大阪大学工学研究科電気電子情報工学専攻
-
小泉 聡
物質・材料研究機構物質研究所
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小泉 聡
青山学院大学理工学部電気電子工学科
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野津 智史
大阪大学大学院工学研究科電気工学専攻
-
栗本 裕史
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
近松 健太郎
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
加茂 睦和
無機材質研
-
河瀬 康弘
三菱化学株式会社
-
青木 秀充
大阪大学 大学院工学研究科
著作論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性