高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiC,GaNに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。両材料は難酸化性のため従来の熱酸化法では高温長時間処理が必要である。我々は従来の熱酸化より低温かつ短時間で酸化膜を形成する方法として、超臨界水や亜臨界水といった高温高圧水を利用した酸化方法を検討している。反応温度・圧力を操作因子とした実験の結果、400℃,25MPaの超臨界水の1時間処理でSiC表面に50nm程度の酸化膜を形成できることを初めて明らかにした。従来のSiC熱酸化(1200℃)と比較して大幅なプロセス低温化の可能性を示した。GaN表面においては400℃,25MPaの超臨界水酸化でストイキオメトリなGa_2O_3組成膜が形成されることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
二ツ木 高志
オルガノ株式会社
-
大江 太郎
オルガノ株式会社 開発センター研究開発部
-
小松 直佳
大阪大学大学院工学研究科
-
二ツ木 高志
東北大学電気通信研究所
-
二ツ木 高志
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
-
大江 太郎
オルガノ株式会社 Scwo部
-
大江 太郎
オルガノ
-
大江 太郎
オルガノ株式会社
関連論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 科学解説 BN,BCN薄膜のフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 全フッ素化化合物の連続循環ガスクロマトグラフによる分離基礎実験
- 塩酸を含有する超臨界水および亜臨界水酸化環境下における貴金属およびTi/IrO_2-Ta_2O_5の腐食試験
- 超臨界水酸化による廃水処理
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- 超臨界流体
- BNを成膜したCNTエミッタの電界放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 超臨界水酸化による廃棄物処理
- 超臨界による廃棄物処理 (特集1 廃棄物処理の新しい動き)
- うちのイチ押しテクノロジ--オルガノの超臨界水酸化システム--有害物質を"水"の中で"完全燃焼"
- 超臨界水酸化による廃水処理
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 先端半導体デバイスの洗浄技術における電気化学
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 洗浄技術の動向と今後
- MOSチャネル移動度のSi/SiO_2界面マイクロラフネス依存性
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- The Formation of Terraces and Steps on Si(100) Surfaces and the Change of these Surfaces during Wet Processing
- オゾン添加超純水を用いたシリコンウエハ表面の有機物除去
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- 超臨界水酸化処理技術を利用した有機廃棄物処理
- 全フッ素化化合物の連続循環ガスクロマトグラフによる分離基礎実験
- 超臨界水酸化技術による半導体工場廃液処理 (特集/超臨界流体技術の最前線)
- 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ワイドバンドギャップ材料からの電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)