ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)

概要

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次世代の高誘電率材料(High-K)ゲート絶縁膜とメタルゲート電極の構造(High-K/メタルゲート構造)におけるHigh-K膜除去プロセスにおいて発生するガルバニックコロージョンは、光照射によって、コロージョン速度が加速されることが懸念される。本研究では、High-K膜除去プロセスにおけるガルバニックコロージョンに対しての光照射の影響を検討した。その結果、n型Siでは、光照射によってガルバニックコロージョンは加速されることが明らかになった。Siのバンドギャップエネルギー以上の光エネルギーの照射によって、ガルバニックコロージョンが加速されることも明らかになり、可視光の全域を遮断することが重要である。界面活性剤による防食を試みたが、光コロージョンに対しては、防食の効果はあまり見られなかった。したがって、High-K/メタルゲートにおける光コロージョンは、特にn型poly-Siに対して、Siのバンドギャップ以上の光、つまり可視光全域を遮断するプロセスが重要であることを明らかにした。
2010-06-10