ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
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概要
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我々は、これまでにプラズマアシストCVD法により作製した窒化ホウ素(BN)薄膜についてフィールドエミッション特性を評価し、その電子放出メカニズムについて研究を進めてきた。最近では、膜厚が8〜10nmのBNナノ薄膜を用いることにより、Fowler-Nordheimトンネリングにおける実効的なポテンシャル障壁高さを低減できるモデルを提案し実証した。しかしながら、BN薄膜は耐水性に難点があることが知られており、この問題を解決することが実用化には不可欠である。耐水性に優れた薄膜を作製する目的で、BN薄膜作製時に少量の炭素を含有させることで、ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜を作製し、その電子放出特性の評価を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-05
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
寺山 正敏
大阪大学産業科学研究所
-
山室 裕
大阪大学大学院工学研究科
-
寺山 正敏
大阪大学大学院工学研究科
-
志摩 秀和
大阪大学大学院工学研究科
-
舟川 慎吾
大阪大学大学院工学研究科
-
坂田 慎一郎
大阪大学大学院工学研究科
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