異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性
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概要
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プラズマアシストCVD法により平坦なn-Si基板上に厚さ8-10nmの窒化ホウ素(BN)ナノ薄膜を成長させることにより、F-Nトンネリングにおける実効的なポテンシャル障壁高さが低減できることを報告してきた。今回は、BNナノ薄膜を成長させる基板として平坦なn-Si基板の代わりに表面に凹凸のある基板を用い、表面の電界集中因子を向上させることで更なるフィールドエミッション特性の改善を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
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