異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
プラズマアシストCVD法により平坦なn-Si基板上に厚さ8-10nmの窒化ホウ素(BN)ナノ薄膜を成長させることにより、F-Nトンネリングにおける実効的なポテンシャル障壁高さが低減できることを報告してきた。今回は、BNナノ薄膜を成長させる基板として平坦なn-Si基板の代わりに表面に凹凸のある基板を用い、表面の電界集中因子を向上させることで更なるフィールドエミッション特性の改善を試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-12-06
著者
関連論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性