フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
45nm世代以降のLSIデバイスにおいて、高誘電率材料(High-K)絶縁膜とメタルゲート電極を組み合わせたトラシジスタ技術の研究が盛んである。このゲート形成工程において、ウェットプロセスにてガルバニックコロージョン(電池腐食)の発生が新たな問題となっている。この腐食抑制とHigh-K膜選択エッチングを両立できるウェット処理技術が重要である。本研究では、IPAとフッ化水素(HF)の混合液を用いて腐食の抑制を検討した。モリブデン(Mo)とpoly-Siの積層ゲート構造を一例として評価を行った。その結果、従来の薬液である希フッ酸(DHF)に比尽、High-K膜(HfSiO)の選択除去性が20倍向上し、かつ、ガルバニックコロージョンを大幅に抑制することに成功した。また、溶液中のイオン種[HF_2^-]濃度、電気伝導率の抑制が、選択比の向上、及びコロージョンの抑制に効果があると考える。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-11-09
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
堀田 沙織
大阪大学大学院工学研究科
-
渡邊 大祐
ダイキン工業株式会社
-
渡邊 大祐
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
関連論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 科学解説 BN,BCN薄膜のフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- ウェットプロセスによるメタルゲートの光コロージョン(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BNを成膜したCNTエミッタの電界放射特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 先端半導体デバイスの洗浄技術における電気化学
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 洗浄技術の動向と今後
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- 超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- 多孔質イオン交換膜を用いたイオンセンシング評価 : 無機イオン・アミノ酸センシング(センサーデバイス・MEMS・一般)
- ワイドバンドギャップ材料からの電子放出 (フィールドエミッションディスプレイ)