表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
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概要
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減圧MOCVD法によりサファイア基板上にAlNバッファ層を成長しその上にSi-doped GaNを成長した。成長したSi-doped GaN試料は平坦な表面を有している。マイクロ波CVD装置を用いてGaN試料表面へ水素プラズマ処理を施し、凹凸を形成した。水素プラズマ処理を施したGaNの表面モフォロジーを原子間力顕微鏡で観察し、電界放出特性について調べた。GaN試料-アノード間の平均閾値電界は12.4V/μmであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-12-08
著者
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