GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GaN系内部ストライプ型レーザの作製において、再成長層の結晶品質と組成の均一性を向上させる事は重要である。本編では、再成長層の結晶品質と組成の均一性を低下させる要因を知る為に、MOCVDによるAlGaN/GaN溝型構造へGaN層の再成長の特徴について調べた。その結果、GaN系ウルツ鉱の再成長では、優性な成長面である(1-101)面の影響により、再成長層の成長面は、<11-20>方向のストライプに対しては滑らかであるが、<1-100>方向に対しては激しく乱れる事が分かった。また、溝型構造上の再成長過程を説明する為に、傾斜面上における(0001)微細ステップの概念を提案し、このステップの振舞いとマイグレーション機構との関連について考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-06
著者
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌弘
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
関連論文
- メチルBCN膜のRFバイアスによる膜質依存性(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- BCN薄膜をコーティングしたカーボンナノチューブのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 低温堆積した窒化炭素ホウ素(BCN)ナノ薄膜の電界電子放出特性(工学)
- 触媒金属上に成長したBCNのフィールドエミッション特性(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製
- 窒化ホウ素薄膜コーティングしたカーボンブラックエミッタからの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- 30p-M-17 溝型構造上への再成長によるGaNの貫通欠陥密度の低減
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 分布ブラッグ反射型半導体レーザーと導波路型波長変換素子を用いた高出力SHG青紫色レーザー
- メチルBCN膜の低温ドライエッチング評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ワイドバンドギャップ半導体用NドープAlSiO膜の特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性,一般))
- GaN光伝導スイッチからのテラヘルツ電磁波発生(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- 減圧MOCVD法により成長した歪み緩和されたInGaNのボーイングパラメータ
- AlGaAs系低雑音高出力半導体レーザー - 実屈折率導波構造による低非点隔差化 -
- 集積回路内蔵型高速ホログラムユニット
- 超薄形光ピックアップ用LDH(レーザ・受光素子・ホログラム)ユニット
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 高In組成InAlGaN活性層を有するSi基板上高輝度紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InAsP埋め込み回折格子型1.55μm帯λ/4位相シフト DFBレーザのスペクトル線幅特性
- 光ヘッド用モノリシック2波長レーザー
- MQW-EA変調器の低変調歪化設計
- 気相合成ダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- リンドープダイヤモンド薄膜のフィールドエミッション特性
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- 段差上への再成長によるGaNのエッチピット密度の低減
- DVD-RAM用赤色高出力レーザ (特集 DVD)
- 650nm帯高出力赤色半導体レーザ
- GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
- 光ディスク用実用屈折率導波(RISA)型AlGaAs半導体レーザー
- MEMS配線用の電磁界Cuめっき技術 (マテリアルフォーカス:エレナノ MEMSデバイス,モジュールに用いられるマテリアルとその加工・洗浄・表面処理)
- 繊維状イオン交換膜を用いた有機酸センシング(センサーデバイス,MEMS,一般)
- 電磁場Cuめっきを用いた環境発電MEMS用マイクロコイルの作製プロセス(センサーデバイス,MEMS,一般)
- Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- ベベルクリーニング用Ruバリア薄膜の電気化学溶解(配線・実装技術と関連材料技術)
- Pt-Ir触媒によるギ酸アンモニウム燃料電池のアノード酸化反応の向上
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- 高温高圧水中でのSiCおよびGaN表面の酸化処理(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- フッ化水素と有機溶媒の混合液を用いた積層メタルゲートのガルバニックコロージョン抑制(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- イットリウムアルミネート(YAlO)薄膜の電気的特性評価(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)
- BNナノ構造からのフィールドエミッション特性
- 表面処理を施したGaNのフィールドエミッション特性
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- レーザリフトオフによるGaN系面発光デバイスの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 段差上成長による高Al組成比AlGaNの低転位化
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 高出力特性1.55μm帯マストランスポート回折格子型(MTG)DFBレーザ
- C-4-18 InAsP埋め込み回折格子型狭線幅DFBレーザのFM変調特性
- 多孔質イオン交換膜を用いたアミノ酸センシング評価
- InAsP吸収性回折格子型利得結合 DFBレーザの広温度範囲低変調歪特性
- リン化によるAlInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- リン化によるAIInAs/InGaAsへのフッ素原子の侵入抑制
- GaAs表面のリン化処理とそのMESFETへの応用
- 多孔質イオン交換体を用いた生体関連物質のセンシング(センサデバイス・MEMS・一般)
- プラズマ処理を施したカーボンナノファイバーからの電界放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出(電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術)
- ホウ素(B)-炭素(C)-窒素(N)ナノ薄膜からの電子放出
- アルミニウムシリケート(AlSiO)絶縁薄膜の特性評価
- 高出力半導体レーザー : 光ディスクを支える強心臓
- リンドープダイヤモンド薄膜の電界放出機構
- C-4-30 転写プロセスによって接着されたInGaAsPフィルタを有する1.55μmパスバンドPD
- 端面非吸収窓構造を用いた超高出力青紫レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 異なった基板上に堆積したBNナノ薄膜からのフィールドエミッション特性