GaN系内部ストライプ型レーザのための埋め込み再成長技術の検討
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概要
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GaN系内部ストライプ型レーザの作製において、再成長層の結晶品質と組成の均一性を向上させる事は重要である。本編では、再成長層の結晶品質と組成の均一性を低下させる要因を知る為に、MOCVDによるAlGaN/GaN溝型構造へGaN層の再成長の特徴について調べた。その結果、GaN系ウルツ鉱の再成長では、優性な成長面である(1-101)面の影響により、再成長層の成長面は、<11-20>方向のストライプに対しては滑らかであるが、<1-100>方向に対しては激しく乱れる事が分かった。また、溝型構造上の再成長過程を説明する為に、傾斜面上における(0001)微細ステップの概念を提案し、このステップの振舞いとマイグレーション機構との関連について考察した。
- 1998-11-06
著者
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
折田 賢児
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
今藤 修
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
油利 正昭
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)技術本部・電子総合研究所
-
折田 賢児
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
今藤 修
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
伊藤 国雄
松下電器産業(株)半導体社ディスクリート事業部
-
油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌弘
松下電子工業(株)電子総合研究所
-
石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
-
伊藤 国雄
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
-
中村 真嗣
松下電子工業(株)電子総合研究所
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