MQW-EA変調器の低変調歪化設計

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概要

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MQW-EA変調器はDFBレーザ等の直接変調型素子に比べ、波長チャープの著しい低減や変調の高速化が期待できる半面、変調歪が非常に大きい。従って、これをサブキャリア多重伝送に応用する時、変調歪を低減する事か課題となる。本編では、ルッテインジャー・コーン・ハミルトニアンに基づくバンド構造からMQW-EA変調器の準位間遷移によるフランツ・ケルディッシュ効果を導出し、2次相互変調歪を低減する設計方法を理論的に検討した。その結果、信号光波長に対する井戸層の組成波長の短波側へのデチューニングと、障壁層を比較的高くすることが、印加電圧-消光比特性の線形性を高める事に有効である事が分かった。また、導波路の光閉じ込め係数と導波路長とを最適化する事によって変調歪を低減する方法を明らかにした。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-02-15

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