Cu-CMP後洗浄用有機防食剤のCu錯体溶解評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
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概要
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Cu-CMP後の洗浄においては、基板表面の高清浄化と配線腐食抑制を両立することが求められている。特に、研磨工程で用いられる防食剤とCuが結合した有機金属錯体は化学的に安定であるため、洗浄工程で除去することは難しいと考えられている。そこでCuの酸化状態による有機金属錯体の溶解性に着目して、洗浄剤特性に及ぼす影響について報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2009-06-04
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
杉野 隆
大阪大学大学院工学研究科
-
原 誠
大阪大学大学院工学研究科
-
伊藤 篤史
三菱化学株式会社半導体材料研究所
-
原田 憲
三菱化学株式会社半導体材料研究所
-
河瀬 康弘
三菱化学株式会社EL薬品事業部
-
水谷 文一
三菱化学株式会社EL薬品事業部
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
-
河瀬 康弘
三菱化学株式会社
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