超臨界水で酸化したSiC基板表面とその膜質評価(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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ワイドバンドギャップ化合物半導体のSiCに高性能なFETを作製するには良好な絶縁膜の形成が不可欠である。SiCは難酸化性のため従来の熱酸化法では高温長時間処理が必要である。我々は従来の熟酸化より低温かつ短時間で酸化膜を形成する方法として、超臨界水を利用した酸化方法を検討している。反応温度・圧力を操作因子とした実験の結果、400℃, 25MPaの超臨界水の1時間処理でSiC表面に50nm程度の酸化膜を形成できることを明らかにした。さらに上述の条件で作製した酸化膜/SiC界面と酸化膜の膜質をAFMとXPSを用いて評価した。超臨界水酸化によって形成された酸化膜/SiC界面のマイクロラフネスは、従来の熱酸化法で形成されたものと比べ低減され、また酸化膜内部の結合は、SiO_2結合の比率が低く、SiO_2-C_2結合が優勢であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-10
著者
-
木村 千春
大阪大学大学院工学研究科
-
青木 秀充
大阪大学大学院工学研究科
-
二ツ木 高志
オルガノ株式会社
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest
-
小松 直佳
大阪大学大学院工学研究科
-
二ツ木 高志
東北大学電気通信研究所
-
青木 秀充
大阪大 大学院工学研究科
-
大江 太郎
オルガノ株式会社 Scwo部
-
佐藤 智久
大阪大学大学院工学研究科
-
ニツ木 高志
オルガノ株式会社
-
大江 太郎
オルガノ
-
大江 太郎
オルガノ株式会社
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