周期的な不純物原子配列を有する半導体の電気伝導シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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著者らの一部(品田、大泊)が開発したシングルイオン注入法により、半導体中の不純物原子位置の制御が可能となった。本研究では、不純物原子の配置が規則的になることでキャリア移動度にどのような変化が起こるか予測するため、アンサンブル・モンテカルロ法と分子動力学法を組み合わせた電気伝導シミュレーションを実施した。不純物原子を20nm間隔の格子状に配置する場合、位置バラツキを5nm以下に抑えれば、ランダムな配置に比べて電子移動度が向上するという結果を得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-23
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
大泊 巌
早稲田大学理工学部
-
照沼 知英
早稲田大学工学部
-
渡邉 孝信
早稲田大学工学部
-
品田 賢宏
早稲田大学工学部
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
渡邉 孝信
早稲田大学理工学術院
-
大泊 巌
早大理工
-
大泊 巌
早稲田大学理工学術院
-
Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami-memorial Laboratory For Materials Science
-
Ohdomari Iwao
School Of Science And Engineering Waseda University:kagami Memorial Laboratory For Materials Science
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
大泊 巌
Faculty Of Science And Engineering Waseda University
-
大泊 巌
早大
-
大泊 巌
早稲田大学
-
大泊 巌
早大・理工
-
品田 賢宏
早稲田大学
-
渡邉 孝信
早稲田大学 理工学術院
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