数値シミュレーションに基づく10nmチャネル素子の電気伝導機構に関する考察(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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ナノスケールのチャネルをもつ微細素子の電気伝導機構を数値シミュレーションをもとに調べた.モンテカルロ法による粒子シミュレーションに電子間クーロン相互作用を取り入れ, ソース/ドレイン電極をも含めた系での伝導を解析した.ソースからドレインに弾道的に入射した電子が, ドレイン電子系と相互作用することでドレイン電子温度を上昇させ, 結果としてチャネル全体のセルフコンシステントポテンシャル分布に影響を与える.特にソース端障壁エネルギーの上昇がオン電流低下に繋がる可能性について議論を試みる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学工学部
-
谷口 研二
大阪大学工学部
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鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
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