自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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ナノスケールSi-MOSFET内部における非平衡光学フォノンの発生とそれが電気特性に与える影響を数値シミュレーションを用いて解析した.準弾道伝導領域で動作するチャネル長10nm級の微細デバイスでは,ソースから注入された電子は印加電圧から得た運動エネルギーの大半をドレイン内部の局所域(〜数10nm)にて光学フォノンを放出することで失う.光学フォノンは群速度が遅いため,熱が周囲に拡散するためにはフォノン-フォノン散乱による音響フォノンへの変換を待たなければならず,その過程がボトルネックとなった場合,非平衡光学フォノン分布,いわゆるホットフォノンが発生する.ホットフォノンの温度は音響フォノン温度よりも100K以上高温となるため信頼性への悪影響が懸念されるが,電流駆動力への影響は比較的軽微である.
- 2009-11-05
著者
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
-
鎌倉 良成
大阪大学大学院工学研究科
-
谷口 研二
大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
谷口 研二
大阪大
-
Taniguchi K
Osaka Univ. Osaka Jpn
-
Taniguchi K
Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University
-
Taniguchi K
Department Of Electronics And Information Systems Osaka University
-
Taniguchi K
Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka
-
Taniguchi Kenji
Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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