森 伸也 | 大阪大学 大学院工学研究科

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概要

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関連著者

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 三成 英樹

  大阪大学 大学院工学研究科

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 鎌倉 良成

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻:独立行政法人科学技術振興機構 Crest

• 江崎 達也

  広島大学大学院先端物質科学研究科

• 西谷 大祐

  大阪大学大学院工学研究科

• 宇野 重康

  クレアモント大学院大学数理科学部

• 岡本 真輝

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 竹田 裕

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 竹田 裕

  Necエレクトロニクス株式会社lsi基礎開発研究所

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科

• 谷口 研二

  大阪大学大学院工学研究科高度人材育成センター:大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 谷口 研二

  大阪大

• Taniguchi K

  Osaka Univ. Osaka Jpn

• Taniguchi K

  Department Of Electronic Engineering Faculty Of Engineering Osaka University

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• Taniguchi K

  Department Of Electronics And Information Systems Osaka University

• Taniguchi K

  Division Of Electrical Electronics And Information Engineering Graduate School Of Engineering Osaka

• 北山 達郎

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 山本 将央

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• Taniguchi Kenji

  Division Of Electrical Electronic And Information Engineering Osaka University

• 伊藤 公平

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

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著作論文

• 原子論モデルにおけるR行列量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 自己発熱効果がナノスケールトランジスタの電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 次世代MOS型デバイスの量子輸送シミュレーション
• ナノスケールMOSFETチャネル中の引力型イオンがデバイス電気特性に与える影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 自立シリコン板における音響フォノン散乱(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 中赤外自由電子レーザー光照射下における半導体キャリアのダイナミクス
• シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 粗視化手法を用いた極微細MOSFETの量子輸送シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 自立シリコン板における音響フォノン散乱(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究 (シリコン材料・デバイス)
• 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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