三成 英樹 | 大阪大学大学院工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 大阪大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 森 伸也

  大阪大学 大学院工学研究科

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 森 伸也

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 三成 英樹

  大阪大学 大学院工学研究科

• 西谷 大祐

  大阪大学大学院工学研究科

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 北山 達郎

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 山本 将央

  大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻

• 伊藤 公平

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• 植松 真司

  独立行政法人科学技術振興機構,CREST:慶應義塾大学大学院理工学研究科

• 三成 英樹

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

• ミリニコフ ゲナディ

  大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST

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著作論文

• 極微細MOSFETにおけるゲートトンネル電流の3次元NEGFシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

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