シリコンナノワイヤにおけるホール電流のひずみ依存性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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直径が1.5nmと2.5nmのひずみシリコンナノワイヤトランジスタについて,強結合近似法を導入した非平衡グリーン関数法によるホール輸送シミュレーションを行った.シミュレーション結果から,直径が2.5nmのナノワイヤでは,一軸性の圧縮ひずみによってホール電流が増加し,引っ張りひずみではホール電流が減少することがわかった.一方,直径が1.5nmのナノワイヤでは,ホール電流はひずみの影響をほとんど受けないことがわかった.
- 2010-11-04
著者
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学 大学院工学研究科
-
三成 英樹
大阪大学 大学院工学研究科
-
三成 英樹
大阪大学大学院工学研究科
-
北山 達郎
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
山本 将央
大阪大学大学院工学研究科電気電子情報工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
森 伸也
大阪大学大学院工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構,CREST
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